HRLP150N10K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRLP150N10K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO220

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HRLP150N10K datasheet

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HRLP150N10K

Mar 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 13 HRLP150N10K ID = 70 A 100V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 13 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 14 (T

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HRLP150N10K

Dec2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 10 HRLP125N06K ID = 70 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 10 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 12 (Typ.

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