Справочник MOSFET. HRLP150N10K

 

HRLP150N10K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HRLP150N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HRLP150N10K

 

 

HRLP150N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  semihow
 hrlp150n10k.pdf

HRLP150N10K HRLP150N10K

Mar 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 13 HRLP150N10K ID = 70 A100V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 13 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 14 (T

 9.1. Size:161K  semihow
 hrlp125n06k.pdf

HRLP150N10K HRLP150N10K

Dec2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ = 10 HRLP125N06K ID = 70 A60V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 10 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 12 (Typ.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top