HRLP55N03K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRLP55N03K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de HRLP55N03K MOSFET
HRLP55N03K Datasheet (PDF)
hrlp55n03k.pdf

December 2014 BVDSS = 30 V RDS(on) typ = 4.2m HRLP55N03K ID = 100 A 30V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 4.2 m (Typ.)
Otros transistores... HRLO250N10K , HRLO72N06 , HRLP125N06K , HRLP150N10K , HRLP250N10K , HRLP33N03K , HRLP370N10K , HRLP40N04K , IRFZ46N , HRLP72N06 , HRLP80N06K , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K , HRLU150N10K , HRLU1B8N10K , HRLU370N10K , HRLU55N03K .
History: STD90N4F3 | NCE0130A | IXTH16P60P | AP9992GP-A-HF | TPCC8093 | NCEA65NF036T | IXFN38N100Q2
History: STD90N4F3 | NCE0130A | IXTH16P60P | AP9992GP-A-HF | TPCC8093 | NCEA65NF036T | IXFN38N100Q2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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