HRLP55N03K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLP55N03K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRLP55N03K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLP55N03K даташит

 ..1. Size:914K  semihow
 hrlp55n03k.pdf pdf_icon

HRLP55N03K

December 2014 BVDSS = 30 V RDS(on) typ = 4.2m HRLP55N03K ID = 100 A 30V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 50nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 4.2 m (Typ.)

Другие IGBT... HRLO250N10K, HRLO72N06, HRLP125N06K, HRLP150N10K, HRLP250N10K, HRLP33N03K, HRLP370N10K, HRLP40N04K, SI2302, HRLP72N06, HRLP80N06K, HRLT1B0N10K, HRLU125N06K, HRLU150N10K, HRLU1B8N10K, HRLU370N10K, HRLU55N03K