HRLU125N06K Todos los transistores

 

HRLU125N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLU125N06K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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HRLU125N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  semihow
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HRLU125N06K

Oct 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ = 10 HRLD125N06K / HRLU125N06K ID = 70 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD125N06K HRU125N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

 9.1. Size:301K  semihow
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HRLU125N06K

Sep 2015BVDSS = 100 VRDS(on) typ = HRLD1B8N10K / HRLU1B8N10K ID = 2.7 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD1B8N10K HRLU1B8N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 11.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower R

 9.2. Size:313K  semihow
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HRLU125N06K

Mar 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ =13 HRLD150N10K / HRLU150N10K ID = 70 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD150N10K HRLU150N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O

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History: SML50J50

 

 
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