HRLU55N03K Todos los transistores

 

HRLU55N03K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLU55N03K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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HRLU55N03K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  semihow
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HRLU55N03K

Sep 2015BVDSS = 30 VRDS(on) typ HRLD55N03K / HRLU55N03K ID = 100 A30V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD55N03K HRLU55N03K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) :

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History: SSD20N06-90D | TMD3N80G

 

 
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