HRP100N08K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRP100N08K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de HRP100N08K MOSFET
HRP100N08K Datasheet (PDF)
hrp100n08k.pdf

December 2014 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 8.5 m HRP100N08K ID = 65 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 73 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 8.5 m (Typ.
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History: 2N3822 | 2N3954 | IXTH34N65X2 | BLD6G22LS-50 | IPB08CNE8NG | IRFHM8228 | BL19N40-P
History: 2N3822 | 2N3954 | IXTH34N65X2 | BLD6G22LS-50 | IPB08CNE8NG | IRFHM8228 | BL19N40-P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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