HRP100N08K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HRP100N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 73 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRP100N08K
HRP100N08K Datasheet (PDF)
hrp100n08k.pdf
December 2014 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 8.5 m HRP100N08K ID = 65 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 73 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 8.5 m (Typ.
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .