HRP100N08K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRP100N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRP100N08K
HRP100N08K Datasheet (PDF)
hrp100n08k.pdf

December 2014 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 8.5 m HRP100N08K ID = 65 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 73 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 8.5 m (Typ.
Другие MOSFET... HRLT1B0N10K , HRLU125N06K , HRLU150N10K , HRLU1B8N10K , HRLU370N10K , HRLU55N03K , HRLU80N06K , HRLW250N10K , K2611 , HRP130N06K , HRP140N06K , HRP180N10K , HRP30N04K , HRP33N04K , HRP35N04K , HRP35N06K , HRP370N10K .
History: CS6N90P | BRCS080N02ZB | CS8N70F | FDMS86252L | STB200NF04L-1 | SFF10N100 | HY18N20T
History: CS6N90P | BRCS080N02ZB | CS8N70F | FDMS86252L | STB200NF04L-1 | SFF10N100 | HY18N20T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent