HRP100N08K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP100N08K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP100N08K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP100N08K даташит

 ..1. Size:870K  semihow
 hrp100n08k.pdf pdf_icon

HRP100N08K

December 2014 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 8.5 m HRP100N08K ID = 65 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 73 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 8.5 m (Typ.

Другие IGBT... HRLT1B0N10K, HRLU125N06K, HRLU150N10K, HRLU1B8N10K, HRLU370N10K, HRLU55N03K, HRLU80N06K, HRLW250N10K, 75N75, HRP130N06K, HRP140N06K, HRP180N10K, HRP30N04K, HRP33N04K, HRP35N04K, HRP35N06K, HRP370N10K