HRP40N08K Todos los transistores

 

HRP40N08K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRP40N08K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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HRP40N08K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:773K  semihow
hrp40n08k.pdf

HRP40N08K
HRP40N08K

Jan 2015 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 3 m HRP40N08K ID = 180 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 190nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 3 m (Typ.) @VGS=10

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