HRP40N08K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRP40N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRP40N08K
HRP40N08K Datasheet (PDF)
hrp40n08k.pdf

Jan 2015 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 3 m HRP40N08K ID = 180 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 190nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 3 m (Typ.) @VGS=10
Другие MOSFET... HRP130N06K , HRP140N06K , HRP180N10K , HRP30N04K , HRP33N04K , HRP35N04K , HRP35N06K , HRP370N10K , EMB04N03H , HRP45N06K , HRP45N08K , HRP56N08K , HRP58N06K , HRP70N06K , HRP72N06K , HRP80N06K , HRP80N08K .
History: IRF3709L | PJU6NA40 | HFS12N60S | UPA650TT | OSG65R580KF | CS9N90F | NTB65N02RT4
History: IRF3709L | PJU6NA40 | HFS12N60S | UPA650TT | OSG65R580KF | CS9N90F | NTB65N02RT4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810