HRP40N08K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HRP40N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRP40N08K
HRP40N08K Datasheet (PDF)
hrp40n08k.pdf

Jan 2015 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 3 m HRP40N08K ID = 180 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 190nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 3 m (Typ.) @VGS=10
Другие MOSFET... HRP130N06K , HRP140N06K , HRP180N10K , HRP30N04K , HRP33N04K , HRP35N04K , HRP35N06K , HRP370N10K , 60N06 , HRP45N06K , HRP45N08K , HRP56N08K , HRP58N06K , HRP70N06K , HRP72N06K , HRP80N06K , HRP80N08K .
History: PTA20N60A | 2SK3018LT1 | PSA10N70 | DG4N60 | WMK03N80M3 | FHP7N65G | PSMN6R0-30YLD
History: PTA20N60A | 2SK3018LT1 | PSA10N70 | DG4N60 | WMK03N80M3 | FHP7N65G | PSMN6R0-30YLD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810