HRP40N08K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP40N08K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP40N08K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP40N08K даташит

 ..1. Size:773K  semihow
 hrp40n08k.pdf pdf_icon

HRP40N08K

Jan 2015 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 3 m HRP40N08K ID = 180 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 190nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 3 m (Typ.) @VGS=10

Другие IGBT... HRP130N06K, HRP140N06K, HRP180N10K, HRP30N04K, HRP33N04K, HRP35N04K, HRP35N06K, HRP370N10K, IRLB3034, HRP45N06K, HRP45N08K, HRP56N08K, HRP58N06K, HRP70N06K, HRP72N06K, HRP80N06K, HRP80N08K