HRP80N08K Todos los transistores

 

HRP80N08K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRP80N08K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HRP80N08K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:925K  semihow
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HRP80N08K

December 2014 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 6.7m HRP80N08K ID = 120 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 60nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.7 m (Typ.)

 7.1. Size:961K  semihow
 hrp80n06k.pdf pdf_icon

HRP80N08K

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 6.3m HRP80N06K ID = 114 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 90 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.3 m (Typ.)

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History: RF1S540 | RU55L18L | SWF8N65D | STB60NE06L-16T4 | JFFM5N80C | RU60101R | SFP634

 

 
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