HRP80N08K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRP80N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRP80N08K
HRP80N08K Datasheet (PDF)
hrp80n08k.pdf

December 2014 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 6.7m HRP80N08K ID = 120 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 60nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.7 m (Typ.)
hrp80n06k.pdf

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 6.3m HRP80N06K ID = 114 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 90 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.3 m (Typ.)
Другие MOSFET... HRP40N08K , HRP45N06K , HRP45N08K , HRP56N08K , HRP58N06K , HRP70N06K , HRP72N06K , HRP80N06K , AO4468 , HRP85N06K , HRP85N08K , HRP88N08K , HRP90N75K , HRS130N06K , HRS140N06K , HRS180N10K , HRS370N10K .
History: PSMN5R5-60YS
History: PSMN5R5-60YS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor