HRP80N08K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP80N08K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP80N08K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP80N08K даташит

 ..1. Size:925K  semihow
 hrp80n08k.pdf pdf_icon

HRP80N08K

December 2014 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 6.7m HRP80N08K ID = 120 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 60nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 6.7 m (Typ.)

 7.1. Size:961K  semihow
 hrp80n06k.pdf pdf_icon

HRP80N08K

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 6.3m HRP80N06K ID = 114 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 90 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 6.3 m (Typ.)

Другие IGBT... HRP40N08K, HRP45N06K, HRP45N08K, HRP56N08K, HRP58N06K, HRP70N06K, HRP72N06K, HRP80N06K, AOD4184A, HRP85N06K, HRP85N08K, HRP88N08K, HRP90N75K, HRS130N06K, HRS140N06K, HRS180N10K, HRS370N10K