HRU120N10K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRU120N10K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: IPAK

 Búsqueda de reemplazo de HRU120N10K MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HRU120N10K datasheet

 ..1. Size:267K  semihow
 hrd120n10k hru120n10k.pdf pdf_icon

HRU120N10K

Sep 2015 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 10 HRD120N10K / HRU120N10K ID = 73 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD120N10K HRU120N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 65 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Otros transistores... HRS180N10K, HRS370N10K, HRS45N08K, HRS70N06K, HRS80N08K, HRS85N08K, HRS88N08K, HRS90N75K, IRFZ44, HRU180N10K, HRU50N06K, HRU72N06K, HRU80N06K, HRW370N10K, HN75N09AP, TMU6N70, TMD6N70G