HRU120N10K Todos los transistores

 

HRU120N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRU120N10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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HRU120N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  semihow
 hrd120n10k hru120n10k.pdf pdf_icon

HRU120N10K

Sep 2015BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 10 HRD120N10K / HRU120N10K ID = 73 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD120N10K HRU120N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 65 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

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History: 2SK2718 | HRS90N75K | IXFH6N120P | HUFA76429S3S | 2SK2717 | FQA85N06 | SHD219451

 

 
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