HRU50N06K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRU50N06K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: IPAK

 Búsqueda de reemplazo de HRU50N06K MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HRU50N06K datasheet

 ..1. Size:244K  semihow
 hrd50n06k hru50n06k.pdf pdf_icon

HRU50N06K

Sep 2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ HRD50N06K / HRU50N06K ID = 40 A 60V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD50N06K HRU50N06K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 11.

Otros transistores... HRS45N08K, HRS70N06K, HRS80N08K, HRS85N08K, HRS88N08K, HRS90N75K, HRU120N10K, HRU180N10K, IRF1404, HRU72N06K, HRU80N06K, HRW370N10K, HN75N09AP, TMU6N70, TMD6N70G, TMU6N70G, OSG07N65AF