Справочник MOSFET. HRU50N06K

 

HRU50N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRU50N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для HRU50N06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRU50N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  semihow
 hrd50n06k hru50n06k.pdf pdf_icon

HRU50N06K

Sep 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRD50N06K / HRU50N06K ID = 40 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD50N06K HRU50N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 11.

Другие MOSFET... HRS45N08K , HRS70N06K , HRS80N08K , HRS85N08K , HRS88N08K , HRS90N75K , HRU120N10K , HRU180N10K , IRF1404 , HRU72N06K , HRU80N06K , HRW370N10K , HN75N09AP , TMU6N70 , TMD6N70G , TMU6N70G , OSG07N65AF .

History: SMG2301 | IPP032N06N3G | G12P03D3 | RSQ035P03

 

 
Back to Top

 


 
.