HRU50N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRU50N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для HRU50N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRU50N06K даташит

 ..1. Size:244K  semihow
 hrd50n06k hru50n06k.pdf pdf_icon

HRU50N06K

Sep 2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ HRD50N06K / HRU50N06K ID = 40 A 60V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD50N06K HRU50N06K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 11.

Другие IGBT... HRS45N08K, HRS70N06K, HRS80N08K, HRS85N08K, HRS88N08K, HRS90N75K, HRU120N10K, HRU180N10K, IRF1404, HRU72N06K, HRU80N06K, HRW370N10K, HN75N09AP, TMU6N70, TMD6N70G, TMU6N70G, OSG07N65AF