HRU72N06K Todos los transistores

 

HRU72N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRU72N06K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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HRU72N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  semihow
 hrd72n06k hru72n06k.pdf pdf_icon

HRU72N06K

Sep 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRD72N06K / HRU72N06K ID = 100 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD72N06K HRU72N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 75nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 5.8

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