HN75N09AP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN75N09AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO220

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HN75N09AP datasheet

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Otros transistores... HRS88N08K, HRS90N75K, HRU120N10K, HRU180N10K, HRU50N06K, HRU72N06K, HRU80N06K, HRW370N10K, IRFP260N, TMU6N70, TMD6N70G, TMU6N70G, OSG07N65AF, OSG07N65DF, OSG07N65FF, OSG07N65PF, OSG50R1K5AF