TMU6N70G Todos los transistores

 

TMU6N70G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMU6N70G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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TMU6N70G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  trinnotech
 tmd6n70g tmu6n70g tmd6n70 tmu6n70.pdf pdf_icon

TMU6N70G

TMD6N70(G)/TMU6N70(G) Features VDSS = 770 V @Tjmax Low gate charge ID = 5A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD6N70/TMU6N70 D-PAK/I-PAK TMD6N70/TMU6N70 RoHS TMD6N70G/TMU6N70G D-PAK/I-PAK

 9.1. Size:603K  trinnotech
 tmd6n65g tmu6n65g.pdf pdf_icon

TMU6N70G

TMD6N65G/TMU6N65G Features VDSS = 715 V @Tjmax Low gate charge ID = 5.5A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD6N65/TMU6N65 D-PAK/I-PAK TMD6N65/TMU6N65 RoHS TMD6N65G/TMU6N65G D-PAK/I-PAK TM

Otros transistores... HRU180N10K , HRU50N06K , HRU72N06K , HRU80N06K , HRW370N10K , HN75N09AP , TMU6N70 , TMD6N70G , IRFB4115 , OSG07N65AF , OSG07N65DF , OSG07N65FF , OSG07N65PF , OSG50R1K5AF , OSG50R1K5DF , OSG50R1K5FF , OSG50R1K5PF .

History: APM3009NF | MTDA0N10J3 | HFU2N60F | RJK1557DPA | HY3003V

 

 
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