TMU6N70G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMU6N70G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.65 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для TMU6N70G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU6N70G даташит

 ..1. Size:429K  trinnotech
 tmd6n70g tmu6n70g tmd6n70 tmu6n70.pdf pdf_icon

TMU6N70G

TMD6N70(G)/TMU6N70(G) Features VDSS = 770 V @Tjmax Low gate charge ID = 5A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD6N70/TMU6N70 D-PAK/I-PAK TMD6N70/TMU6N70 RoHS TMD6N70G/TMU6N70G D-PAK/I-PAK

 9.1. Size:603K  trinnotech
 tmd6n65g tmu6n65g.pdf pdf_icon

TMU6N70G

TMD6N65G/TMU6N65G Features VDSS = 715 V @Tjmax Low gate charge ID = 5.5A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD6N65/TMU6N65 D-PAK/I-PAK TMD6N65/TMU6N65 RoHS TMD6N65G/TMU6N65G D-PAK/I-PAK TM

Другие IGBT... HRU180N10K, HRU50N06K, HRU72N06K, HRU80N06K, HRW370N10K, HN75N09AP, TMU6N70, TMD6N70G, IRF3710, OSG07N65AF, OSG07N65DF, OSG07N65FF, OSG07N65PF, OSG50R1K5AF, OSG50R1K5DF, OSG50R1K5FF, OSG50R1K5PF