Справочник MOSFET. TMU6N70G

 

TMU6N70G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU6N70G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.65 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU6N70G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  trinnotech
 tmd6n70g tmu6n70g tmd6n70 tmu6n70.pdf pdf_icon

TMU6N70G

TMD6N70(G)/TMU6N70(G) Features VDSS = 770 V @Tjmax Low gate charge ID = 5A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD6N70/TMU6N70 D-PAK/I-PAK TMD6N70/TMU6N70 RoHS TMD6N70G/TMU6N70G D-PAK/I-PAK

 9.1. Size:603K  trinnotech
 tmd6n65g tmu6n65g.pdf pdf_icon

TMU6N70G

TMD6N65G/TMU6N65G Features VDSS = 715 V @Tjmax Low gate charge ID = 5.5A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD6N65/TMU6N65 D-PAK/I-PAK TMD6N65/TMU6N65 RoHS TMD6N65G/TMU6N65G D-PAK/I-PAK TM

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: VBE1102N | OSG65R099FF | IXTP8N45MA | 4N65KL-T2Q-R | TK3A60DA | PK5V8EN

 

 
Back to Top

 


 
.