OSG60R099HF Todos los transistores

 

OSG60R099HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R099HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 219 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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OSG60R099HF Datasheet (PDF)

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OSG60R099HF

OSG60R099HF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

 4.1. Size:945K  oriental semi
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OSG60R099HF

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OSG60R099HF

OSG60R099HSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery di

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OSG60R099HF

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History: PH4830L | IPD60R1K5CE | CHM4435AZGP | HY3215M | DH240N06L | NTMFS4C054N | AON2801

 

 
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