OSG60R099HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OSG60R099HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 219 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 38.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG60R099HF

OSG60R099HF Datasheet (PDF)

..1. Size:410K oriental semi
osg60r099hf.pdf

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4.1. Size:945K oriental semi
osg60r099ht3f.pdf

4.2. Size:409K oriental semi
osg60r099hszf.pdf

OSG60R099HSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery di

4.3. Size:980K oriental semi
osg60r099hezf.pdf

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Liste

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