OSG60R099HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R099HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 219 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.9 V
Carga de la puerta (Qg): 44.8 nC
Tiempo de subida (tr): 38.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 223.9 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.099 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG60R099HF
OSG60R099HF Datasheet (PDF)
osg60r099hf.pdf
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