OSG60R099KSZF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG60R099KSZF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm

Encapsulados: TO263

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

OSG60R099KSZF datasheet

..1. Size:330K oriental semi
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OSG60R099KSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recove

4.1. Size:902K oriental semi
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