OSG60R099KSZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R099KSZF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203.3 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de OSG60R099KSZF MOSFET
OSG60R099KSZF Datasheet (PDF)
osg60r099kszf.pdf
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History: OSG60R099JF | AM30N20-78D | OSG60R099HF
History: OSG60R099JF | AM30N20-78D | OSG60R099HF
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