OSG60R150JF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R150JF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8X8
Búsqueda de reemplazo de OSG60R150JF MOSFET
OSG60R150JF Datasheet (PDF)
osg60r150kf.pdf
OSG60R150KF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch
Otros transistores... OSG60R108HZF , OSG60R108JZF , OSG60R108KSZF , OSG60R108KZF , OSG60R108PZF , OSG60R140FSZF , OSG60R150FF , OSG60R150HF , 5N60 , OSG60R150KF , OSG60R150PF , OSG60R180DT3F , OSG60R180FSF-NB , OSG60R180FT3F , OSG60R180HF , OSG60R180IF , OSG60R180KF .
History: IPD031N03L
History: IPD031N03L
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