OSG60R150JF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R150JF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: PDFN8X8

Аналог (замена) для OSG60R150JF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R150JF даташит

 ..1. Size:970K  oriental semi
 osg60r150jf.pdf pdf_icon

OSG60R150JF

 5.1. Size:831K  oriental semi
 osg60r150kf.pdf pdf_icon

OSG60R150JF

OSG60R150KF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

 5.2. Size:1018K  oriental semi
 osg60r150ff.pdf pdf_icon

OSG60R150JF

 5.3. Size:983K  oriental semi
 osg60r150pf.pdf pdf_icon

OSG60R150JF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R108HZF, OSG60R108JZF, OSG60R108KSZF, OSG60R108KZF, OSG60R108PZF, OSG60R140FSZF, OSG60R150FF, OSG60R150HF, IRLB4132, OSG60R150KF, OSG60R150PF, OSG60R180DT3F, OSG60R180FSF-NB, OSG60R180FT3F, OSG60R180HF, OSG60R180IF, OSG60R180KF