OSG60R180FSF-NB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R180FSF-NB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.9 V
Carga de la puerta (Qg): 35.5 nC
Tiempo de subida (tr): 20.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120.2 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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OSG60R180FSF-NB Datasheet (PDF)
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OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: LND12N60