OSG60R180FSF-NB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG60R180FSF-NB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120.2 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для OSG60R180FSF-NB
OSG60R180FSF-NB Datasheet (PDF)
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60
Другие MOSFET... OSG60R108PZF , OSG60R140FSZF , OSG60R150FF , OSG60R150HF , OSG60R150JF , OSG60R150KF , OSG60R150PF , OSG60R180DT3F , 2SK3568 , OSG60R180FT3F , OSG60R180HF , OSG60R180IF , OSG60R180KF , OSG60R180PF , OSG60R190DT3ZF , OSG60R190DTF , OSG60R190FSZF .
History: IRFD120PBF | OSG60R180DT3F | AP18N50W | HGW190N15S
History: IRFD120PBF | OSG60R180DT3F | AP18N50W | HGW190N15S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor