OSG60R180FSF-NB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R180FSF-NB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG60R180FSF-NB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R180FSF-NB даташит

 0.1. Size:902K  oriental semi
 osg60r180fsf-nb.pdf pdf_icon

OSG60R180FSF-NB

 2.1. Size:873K  oriental semi
 osg60r180fsf.pdf pdf_icon

OSG60R180FSF-NB

 2.2. Size:1016K  oriental semi
 osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf pdf_icon

OSG60R180FSF-NB

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R108PZF, OSG60R140FSZF, OSG60R150FF, OSG60R150HF, OSG60R150JF, OSG60R150KF, OSG60R150PF, OSG60R180DT3F, 4435, OSG60R180FT3F, OSG60R180HF, OSG60R180IF, OSG60R180KF, OSG60R180PF, OSG60R190DT3ZF, OSG60R190DTF, OSG60R190FSZF