Справочник MOSFET. OSG60R180FSF-NB

 

OSG60R180FSF-NB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R180FSF-NB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG60R180FSF-NB

 

 

OSG60R180FSF-NB Datasheet (PDF)

 0.1. Size:902K  oriental semi
 osg60r180fsf-nb.pdf

OSG60R180FSF-NB OSG60R180FSF-NB

 2.1. Size:873K  oriental semi
 osg60r180fsf.pdf

OSG60R180FSF-NB OSG60R180FSF-NB

 2.2. Size:1016K  oriental semi
 osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf

OSG60R180FSF-NB OSG60R180FSF-NB

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top