STM6708 Todos los transistores

 

STM6708 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STM6708
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 247 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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STM6708 Datasheet (PDF)

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STM6708

GreenProduct STM6708SamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.10 @ VGS=10VSuface Mount Package.60V 15A13.5 @ VGS=4.5V SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Param

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STM6708

GreenProduct STM6718SamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.12.5 @ VGS=10VSuface Mount Package.60V 10A18.5 @ VGS=4.5VSO-81(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Par

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STM6708

GreenProduct STM6716SamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.12.5 @ VGS=10VSuface Mount Package.60V 10A16 @ VGS=4.5VSO-81(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Param

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