STM6708 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STM6708
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A
Общий заряд затвора (Qg): 216 nC
Выходная емкость (Cd): 247 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: SOP8
STM6708 Datasheet (PDF)
1.1. stm6708.pdf 
Size:120K _samhop
Green Product STM6708 SamHop Microelectronics Corp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (mΩ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 10 @ VGS=10V Suface Mount Package. 60V 15A 13.5 @ VGS=4.5V SO-8 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted) Symbol Param
5.1. stm6718.pdf Size:118K _samhop
Green Product STM6718 SamHop Microelectronics Corp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (mΩ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 12.5 @ VGS=10V Suface Mount Package. 60V 10A 18.5 @ VGS=4.5V SO-8 1 (TA=25°C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Par
5.2. stm6716.pdf Size:118K _samhop
Green Product STM6716 SamHop Microelectronics Corp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (mΩ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 12.5 @ VGS=10V Suface Mount Package. 60V 10A 16 @ VGS=4.5V SO-8 1 (TA=25°C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Param
Другие MOSFET... FDMS8025S , STM6912 , FDMS8026S , STM6718 , FDMS8027S , STM6716 , FDMS8460 , FDMS86101 , 2SK3569 , FDMS86102LZ , STM6610 , FDMS86103L , STM6375 , FDMS86104 , STM4973 , FDMS86105 , STM4953 .
