OSG60R180KF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R180KF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 49.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de OSG60R180KF MOSFET
OSG60R180KF Datasheet (PDF)
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60
Otros transistores... OSG60R150JF , OSG60R150KF , OSG60R150PF , OSG60R180DT3F , OSG60R180FSF-NB , OSG60R180FT3F , OSG60R180HF , OSG60R180IF , TK10A60D , OSG60R180PF , OSG60R190DT3ZF , OSG60R190DTF , OSG60R190FSZF , OSG60R190FT3ZF , OSG60R1K2AF , OSG60R1K2DF , OSG60R1K2FF .
History: IRFU12N25D | IRFZ34NSPBF | CEP85N75 | HUFA76619D3S | TPC8404 | 2SK2615 | 2SK1443LS
History: IRFU12N25D | IRFZ34NSPBF | CEP85N75 | HUFA76619D3S | TPC8404 | 2SK2615 | 2SK1443LS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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