OSG60R180KF Todos los transistores

 

OSG60R180KF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R180KF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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OSG60R180KF Datasheet (PDF)

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OSG60R180KF

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

 5.1. Size:916K  oriental semi
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OSG60R180KF

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History: IRFU12N25D | IRFZ34NSPBF | CEP85N75 | HUFA76619D3S | TPC8404 | 2SK2615 | 2SK1443LS

 

 
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