OSG60R190FSZF Todos los transistores

 

OSG60R190FSZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R190FSZF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de OSG60R190FSZF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

OSG60R190FSZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  oriental semi
osg60r190fszf.pdf pdf_icon

OSG60R190FSZF

 4.1. Size:922K  oriental semi
osg60r190ft3zf.pdf pdf_icon

OSG60R190FSZF

 5.1. Size:980K  oriental semi
osg60r190dtf.pdf pdf_icon

OSG60R190FSZF

 5.2. Size:946K  oriental semi
osg60r190dt3zf.pdf pdf_icon

OSG60R190FSZF

Otros transistores... OSG60R180FSF-NB , OSG60R180FT3F , OSG60R180HF , OSG60R180IF , OSG60R180KF , OSG60R180PF , OSG60R190DT3ZF , OSG60R190DTF , IRF530 , OSG60R190FT3ZF , OSG60R1K2AF , OSG60R1K2DF , OSG60R1K2FF , OSG60R1K2PF , OSG60R1K8AF , OSG60R1K8DF , OSG60R1K8FF .

History: FQD11P06TM | AP9998GI-HF | APM4053PU | SSF2418E

 

 
Back to Top

 


 
.