Справочник MOSFET. OSG60R190FSZF

 

OSG60R190FSZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R190FSZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG60R190FSZF

 

 

OSG60R190FSZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  oriental semi
osg60r190fszf.pdf

OSG60R190FSZF
OSG60R190FSZF

 4.1. Size:922K  oriental semi
osg60r190ft3zf.pdf

OSG60R190FSZF
OSG60R190FSZF

 5.1. Size:980K  oriental semi
osg60r190dtf.pdf

OSG60R190FSZF
OSG60R190FSZF

 5.2. Size:946K  oriental semi
osg60r190dt3zf.pdf

OSG60R190FSZF
OSG60R190FSZF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top