Справочник MOSFET. OSG60R190FSZF

 

OSG60R190FSZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R190FSZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для OSG60R190FSZF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R190FSZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  oriental semi
osg60r190fszf.pdfpdf_icon

OSG60R190FSZF

 4.1. Size:922K  oriental semi
osg60r190ft3zf.pdfpdf_icon

OSG60R190FSZF

 5.1. Size:980K  oriental semi
osg60r190dtf.pdfpdf_icon

OSG60R190FSZF

 5.2. Size:946K  oriental semi
osg60r190dt3zf.pdfpdf_icon

OSG60R190FSZF

Другие MOSFET... OSG60R180FSF-NB , OSG60R180FT3F , OSG60R180HF , OSG60R180IF , OSG60R180KF , OSG60R180PF , OSG60R190DT3ZF , OSG60R190DTF , IRF530 , OSG60R190FT3ZF , OSG60R1K2AF , OSG60R1K2DF , OSG60R1K2FF , OSG60R1K2PF , OSG60R1K8AF , OSG60R1K8DF , OSG60R1K8FF .

History: BSO211PH | FQD11P06TM | SWSI4N70D1 | AP9998GI-HF | PSMN1R2-25YLC | BUK7C06-40AITE | 6N70KG-TF3T-T

 

 
Back to Top

 


 
.