STM6610 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STM6610
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STM6610

STM6610 Datasheet (PDF)

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stm6610.pdf

GreenProductS TM6610S amHop Microelectronics C orp.Dec. 11 2006Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorF E ATUR E SPR ODUC T S UMMAR YS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.19 @ VG S = 10VS urface Mount Package.30V 8.5A28 @ VG S = 4.5VE S D Protected.D1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2

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Liste

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