STM6610 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM6610
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Encapsulados: SOP8
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STM6610 datasheet
stm6610.pdf
Green Product S TM6610 S amHop Microelectronics C orp. Dec. 11 2006 Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor F E ATUR E S PR ODUC T S UMMAR Y S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 19 @ VG S = 10V S urface Mount Package. 30V 8.5A 28 @ VG S = 4.5V E S D Protected. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 S O-8 1 1 2
Otros transistores... FDMS8026S , STM6718 , FDMS8027S , STM6716 , FDMS8460 , FDMS86101 , STM6708 , FDMS86102LZ , AO3401 , FDMS86103L , STM6375 , FDMS86104 , STM4973 , FDMS86105 , STM4953 , FDMS86200 , FDMS86201 .
History: UT2301G-AE3-R
History: UT2301G-AE3-R
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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