Справочник MOSFET. STM6610

 

STM6610 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STM6610
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для STM6610

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM6610 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  samhop
 stm6610.pdf pdf_icon

STM6610

GreenProductS TM6610S amHop Microelectronics C orp.Dec. 11 2006Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorF E ATUR E SPR ODUC T S UMMAR YS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.19 @ VG S = 10VS urface Mount Package.30V 8.5A28 @ VG S = 4.5VE S D Protected.D1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2

Другие MOSFET... FDMS8026S , STM6718 , FDMS8027S , STM6716 , FDMS8460 , FDMS86101 , STM6708 , FDMS86102LZ , AO3400 , FDMS86103L , STM6375 , FDMS86104 , STM4973 , FDMS86105 , STM4953 , FDMS86200 , FDMS86201 .

History: NCEP035N12VD | IPA60R145CFD7 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.