OSG60R260DF Todos los transistores

 

OSG60R260DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R260DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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OSG60R260DF Datasheet (PDF)

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Otros transistores... OSG60R1K8AF , OSG60R1K8DF , OSG60R1K8FF , OSG60R1K8PF , OSG60R200FSZF , OSG60R200JSZF , OSG60R200PSZF , OSG60R260AF , P0903BDG , OSG60R260FF , EMP21N03HC , OSG60R260IF , OSG60R260PF , OSG60R2K2AF , OSG60R2K2ASF , OSG60R2K2DF , OSG60R2K2DSF .

History: IPD180N10N3G | SSF2314 | APT48M80B2 | IXFH40N85X | OSG60R074FSZF | FHD15N10A | AFN6561

 

 
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