OSG60R260DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R260DF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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OSG60R260DF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG60R1K8AF , OSG60R1K8DF , OSG60R1K8FF , OSG60R1K8PF , OSG60R200FSZF , OSG60R200JSZF , OSG60R200PSZF , OSG60R260AF , RFP50N06 , OSG60R260FF , EMP21N03HC , OSG60R260IF , OSG60R260PF , OSG60R2K2AF , OSG60R2K2ASF , OSG60R2K2DF , OSG60R2K2DSF .
History: 2SK1769 | KNY3204A | SIA472EDJ | AO6806 | STF6N80K5 | PHB143NQ04T | IRF621FI
History: 2SK1769 | KNY3204A | SIA472EDJ | AO6806 | STF6N80K5 | PHB143NQ04T | IRF621FI



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