OSG60R260DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R260DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG60R260DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R260DF даташит

 ..1. Size:997K  oriental semi
 osg60r260df.pdf pdf_icon

OSG60R260DF

 5.1. Size:999K  oriental semi
 osg60r260af.pdf pdf_icon

OSG60R260DF

 5.2. Size:998K  oriental semi
 osg60r260ff.pdf pdf_icon

OSG60R260DF

 5.3. Size:1000K  oriental semi
 osg60r260if.pdf pdf_icon

OSG60R260DF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R1K8AF, OSG60R1K8DF, OSG60R1K8FF, OSG60R1K8PF, OSG60R200FSZF, OSG60R200JSZF, OSG60R200PSZF, OSG60R260AF, IRF1407, OSG60R260FF, EMP21N03HC, OSG60R260IF, OSG60R260PF, OSG60R2K2AF, OSG60R2K2ASF, OSG60R2K2DF, OSG60R2K2DSF