EMP21N03HC Todos los transistores

 

EMP21N03HC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMP21N03HC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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EMP21N03HC Datasheet (PDF)

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EMP21N03HC

EMP21N03HCNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)2.1mID100AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

Otros transistores... OSG60R1K8FF , OSG60R1K8PF , OSG60R200FSZF , OSG60R200JSZF , OSG60R200PSZF , OSG60R260AF , OSG60R260DF , OSG60R260FF , STP80NF70 , OSG60R260IF , OSG60R260PF , OSG60R2K2AF , OSG60R2K2ASF , OSG60R2K2DF , OSG60R2K2DSF , OSG60R2K2FSF , OSG60R2K8AF .

History: AO4862E | IRF6623 | IXFN80N60P3

 

 
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