OSG60R260IF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R260IF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
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OSG60R260IF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG60R1K8PF , OSG60R200FSZF , OSG60R200JSZF , OSG60R200PSZF , OSG60R260AF , OSG60R260DF , OSG60R260FF , EMP21N03HC , 13N50 , OSG60R260PF , OSG60R2K2AF , OSG60R2K2ASF , OSG60R2K2DF , OSG60R2K2DSF , OSG60R2K2FSF , OSG60R2K8AF , OSG60R2K8DF .
History: FTK3N80P | IRFS723 | DMT6016LPS | ME70N03S-G | DH400P06F | IXFT86N30T | IPB180N08S4-02
History: FTK3N80P | IRFS723 | DMT6016LPS | ME70N03S-G | DH400P06F | IXFT86N30T | IPB180N08S4-02



Liste
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