OSG60R260IF Todos los transistores

 

OSG60R260IF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R260IF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

OSG60R260IF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1000K  oriental semi
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OSG60R260IF

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OSG60R260IF

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History: VS3620DP-G | 2SJ152

 

 
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