OSG60R360DSF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R360DSF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71.1 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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OSG60R360DSF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG60R2K2DF , OSG60R2K2DSF , OSG60R2K2FSF , OSG60R2K8AF , OSG60R2K8DF , OSG60R320FT3ZF , OSG60R340DT3F , OSG60R340FT3F , AO3401 , OSG60R360DZF , OSG60R360FSF , OSG60R380AF , OSG60R380DF , OSG60R380DTF , OSG60R380FF , OSG60R380IF , OSG60R380PF .
History: UF640G-TA3-T | STL57N65M5 | NVMFS5C426NL | AOWF14N50 | FDN337N-NL | IPA50R190CE | PE548EA
History: UF640G-TA3-T | STL57N65M5 | NVMFS5C426NL | AOWF14N50 | FDN337N-NL | IPA50R190CE | PE548EA



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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