OSG60R360DSF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R360DSF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG60R360DSF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R360DSF даташит

 ..1. Size:890K  oriental semi
 osg60r360dsf.pdf pdf_icon

OSG60R360DSF

 4.1. Size:879K  oriental semi
 osg60r360dzf.pdf pdf_icon

OSG60R360DSF

 5.1. Size:861K  oriental semi
 osg60r360fsf.pdf pdf_icon

OSG60R360DSF

 7.1. Size:997K  oriental semi
 osg60r380af.pdf pdf_icon

OSG60R360DSF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R2K2DF, OSG60R2K2DSF, OSG60R2K2FSF, OSG60R2K8AF, OSG60R2K8DF, OSG60R320FT3ZF, OSG60R340DT3F, OSG60R340FT3F, P60NF06, OSG60R360DZF, OSG60R360FSF, OSG60R380AF, OSG60R380DF, OSG60R380DTF, OSG60R380FF, OSG60R380IF, OSG60R380PF