OSG60R670FF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OSG60R670FF
   Código: OSG60R670F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG60R670FF