OSG60R670FF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG60R670FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG60R670FF
   Маркировка: OSG60R670F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG60R670FF