OSG60R670PF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG60R670PF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de OSG60R670PF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OSG60R670PF datasheet

 ..1. Size:991K  oriental semi
 osg60r670pf.pdf pdf_icon

OSG60R670PF

 5.1. Size:1069K  oriental semi
 osg60r670df.pdf pdf_icon

OSG60R670PF

 5.2. Size:1004K  oriental semi
 osg60r670af.pdf pdf_icon

OSG60R670PF

 5.3. Size:1018K  oriental semi
 osg60r670ff.pdf pdf_icon

OSG60R670PF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... OSG60R580DT3F, OSG60R580DTF, OSG60R580FF, OSG60R580PF, OSG60R600DMZF, OSG60R670AF, OSG60R670DF, OSG60R670FF, AO4407A, OSG60R900AF, OSG60R900DF, OSG60R900FF, OSG60R900PF, OSG65R017HT3F, OSG65R020HT3F, OSG65R022H4T3ZF, OSG65R028H4T3ZF