Справочник MOSFET. OSG60R670PF

 

OSG60R670PF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R670PF
   Маркировка: OSG60R670P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R670PF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:991K  oriental semi
osg60r670pf.pdfpdf_icon

OSG60R670PF

 5.1. Size:1069K  oriental semi
osg60r670df.pdfpdf_icon

OSG60R670PF

 5.2. Size:1004K  oriental semi
osg60r670af.pdfpdf_icon

OSG60R670PF

 5.3. Size:1018K  oriental semi
osg60r670ff.pdfpdf_icon

OSG60R670PF

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: DH028N03B | 2SK3738 | AU10N65S

 

 
Back to Top

 


 
.