OSG65R069HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OSG65R069HF
   Código: OSG65R069H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 390 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 53 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 60.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 104.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 283.3 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.069 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG65R069HF