OSG65R080PT3ZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R080PT3ZF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 379 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 118 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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OSG65R080PT3ZF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG65R070FT3F , OSG65R070HT3F , OSG65R070PT3F , OSG65R074FT3ZF , OSG65R074HT3ZF , OSG65R074KT3ZF , OSG65R080HT3ZF , OSG65R080KT3ZF , 2N7000 , OSG65R080TT3ZF , OSG65R099FF , OSG65R099FSZF , OSG65R099FT3ZF , OSG65R099FZF , OSG65R099H4SZF , OSG65R099HF , OSG65R099HSF .
History: SVG094R1NS | OSG65R070PT3F | OSG65R070HT3F | H7N0312AB | IRF6601 | BUK139-50DL | DMN32D2LV
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Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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