OSG65R1K5DZF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG65R1K5DZF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de OSG65R1K5DZF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OSG65R1K5DZF datasheet

 ..1. Size:880K  oriental semi
 osg65r1k5dzf.pdf pdf_icon

OSG65R1K5DZF

 6.1. Size:1166K  oriental semi
 osg65r1k4af osg65r1k4df osg65r1k4ff osg65r1k4pf.pdf pdf_icon

OSG65R1K5DZF

OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera

 6.2. Size:1086K  oriental semi
 osg65r1k4df.pdf pdf_icon

OSG65R1K5DZF

 6.3. Size:996K  oriental semi
 osg65r1k4ff.pdf pdf_icon

OSG65R1K5DZF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... OSG65R130HT3ZF, OSG65R130PT3ZF, OSG65R140FSZF, OSG65R140H4SZF, OSG65R140HSZF, OSG65R140K7SZF, OSG65R140KSZF, OSG65R140PSZF, 5N60, OSG65R200FEF, OSG65R200FEF-NB, OSG65R200FF, OSG65R200FSF-NB, OSG65R200FT3F, OSG65R200HF, OSG65R200JF, OSG65R200JT3F