OSG65R1K5DZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R1K5DZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R1K5DZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R1K5DZF даташит

 ..1. Size:880K  oriental semi
 osg65r1k5dzf.pdf pdf_icon

OSG65R1K5DZF

 6.1. Size:1166K  oriental semi
 osg65r1k4af osg65r1k4df osg65r1k4ff osg65r1k4pf.pdf pdf_icon

OSG65R1K5DZF

OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera

 6.2. Size:1086K  oriental semi
 osg65r1k4df.pdf pdf_icon

OSG65R1K5DZF

 6.3. Size:996K  oriental semi
 osg65r1k4ff.pdf pdf_icon

OSG65R1K5DZF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG65R130HT3ZF, OSG65R130PT3ZF, OSG65R140FSZF, OSG65R140H4SZF, OSG65R140HSZF, OSG65R140K7SZF, OSG65R140KSZF, OSG65R140PSZF, 5N60, OSG65R200FEF, OSG65R200FEF-NB, OSG65R200FF, OSG65R200FSF-NB, OSG65R200FT3F, OSG65R200HF, OSG65R200JF, OSG65R200JT3F