OSG65R1K5DZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: OSG65R1K5DZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 27.5 ns
Выходная емкость (Cd): 23.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для OSG65R1K5DZF
OSG65R1K5DZF Datasheet (PDF)
osg65r1k4af osg65r1k4df osg65r1k4ff osg65r1k4pf.pdf
OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .