OSG65R200FEF-NB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R200FEF-NB
Código: OSG65R200FE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 VQgⓘ - Carga de la puerta: 22.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 22.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
OSG65R200FEF-NB Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG65R140FSZF , OSG65R140H4SZF , OSG65R140HSZF , OSG65R140K7SZF , OSG65R140KSZF , OSG65R140PSZF , OSG65R1K5DZF , OSG65R200FEF , IRFZ46N , OSG65R200FF , OSG65R200FSF-NB , OSG65R200FT3F , OSG65R200HF , OSG65R200JF , OSG65R200JT3F , OSG65R200KF , OSG65R200PF .
History: 2SK1278 | HMS60N04EQ
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