Справочник MOSFET. OSG65R200FEF-NB

 

OSG65R200FEF-NB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R200FEF-NB
   Маркировка: OSG65R200FE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG65R200FEF-NB

 

 

OSG65R200FEF-NB Datasheet (PDF)

 0.1. Size:896K  oriental semi
osg65r200fef-nb.pdf

OSG65R200FEF-NB
OSG65R200FEF-NB

 2.1. Size:903K  oriental semi
osg65r200fef.pdf

OSG65R200FEF-NB
OSG65R200FEF-NB

 4.1. Size:947K  oriental semi
osg65r200ft3f.pdf

OSG65R200FEF-NB
OSG65R200FEF-NB

 4.2. Size:943K  oriental semi
osg65r200fsf-nb.pdf

OSG65R200FEF-NB
OSG65R200FEF-NB

 4.3. Size:996K  oriental semi
osg65r200ff.pdf

OSG65R200FEF-NB
OSG65R200FEF-NB

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top