OSG65R200FF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R200FF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 49.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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OSG65R200FF Datasheet (PDF)
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History: IXTN60N50L2 | IXTN550N055T2 | AP02N90I | 6N65D | RTQ020N03FRA | BLL6H0514L-130 | OSG65R2KFSF
History: IXTN60N50L2 | IXTN550N055T2 | AP02N90I | 6N65D | RTQ020N03FRA | BLL6H0514L-130 | OSG65R2KFSF



Liste
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