Справочник MOSFET. OSG65R200FF

 

OSG65R200FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R200FF
   Маркировка: OSG65R200F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 49.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG65R200FF

 

 

OSG65R200FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:996K  oriental semi
osg65r200ff.pdf

OSG65R200FF
OSG65R200FF

 4.1. Size:947K  oriental semi
osg65r200ft3f.pdf

OSG65R200FF
OSG65R200FF

 4.2. Size:943K  oriental semi
osg65r200fsf-nb.pdf

OSG65R200FF
OSG65R200FF

 4.3. Size:896K  oriental semi
osg65r200fef-nb.pdf

OSG65R200FF
OSG65R200FF

 4.4. Size:903K  oriental semi
osg65r200fef.pdf

OSG65R200FF
OSG65R200FF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top